市场研究机构TrendForce表示，随着下半年旺季需求带动均价将小幅上扬，预计DRAM第三季总产值将续创新高，整体下半年DRAM价格续涨，惟涨幅预估将持续收敛，在今年第四季可能价格持平。

整体而言，预料下半年DRAM价格续涨，然涨幅持续收敛。虽然10奈米级带来的位元成长不若先前世代明显，但随着供应商在今年上半年陆续导入，将持续贡献未来季度的位元增长。以下半年来说，DRAMeXchange认为，虽然需求在旺季支撑下可望维持稳健，但已可观察到价格上涨幅度越来越小。

进入下半年，各大DRAM厂已陆续洽谈第三季合约价格，根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，受惠于买方急欲增加库存水位以及第三季传统旺季需求来临，即使供给位元成长逐季增加，平均销售单价仍可望小幅上扬。

DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，回顾第二季，各供应商陆续转进1X或1Y奈米制程，虽然陆续传出有良率不甚稳定或量产品出现品质疑虑的状况，供货位元季成长仍有3.2%。就买方而言，由于库存尚未达到安全水位，仍有相对稳健的拉货动能，带动DRAM整体均价呈现微幅季成长。

展望第三季，由于1X或1Y奈米的比重将持续增加，DRAMeXchange预估，第三季供货位元成长可望达4.8%，但在旺季需求的支撑下，DRAM价格将持续小幅上扬，带动第三季DRAM总产值续创新高。

从产品别来看，第三季DRAM价格涨幅主要由伺服器记忆体与行动式记忆体带动。伺服器记忆体的需求较第二季稳健提升，因此出货至一线厂的主流伺服器模组价格仍有1-2%的涨幅。但由于供货率(fulfillment rate)至今年年初起一路提升，因此价格上涨有限，且第三季伺服器记忆体在一线厂与二线厂的报价区间不会有太大的差异。

以行动式记忆体而言，价格的涨幅主要由Android高阶手机在高容量LPDDR4采用量提升所支撑。近期推出的高阶手机已将DRAM容量提升至6GB甚至是8GB，也使得LPDDR4系列不论是在分离式(Discrete)或者是eMCP的供应皆看紧。预期第三季整体行动式记忆体价格在高阶机种的带动，有机会出现1-2%的涨幅。

至于绘图用记忆体与利基型记忆体受到虚拟货币(cryptocurrency)需求骤减影响，原先预估的涨幅可能完全消失。尤其绘图用记忆体经历上半年的价格飙涨，恐导致价格在下半年出现下跌。

关键词：DRAM